Крупнейшие производители чипов продолжают совершенствовать технологии и начинают промышленное внедрение 3-нанометрового техпроцесса создания микросхем. В этом направлении идёт южнокорейская Samsung. Компания провела церемонию, посвящённую началу поставок первой партии своих чипов, выполненных с использованием транзисторов GAA (3 нм). Мероприятие прошло на площадке, где размещается производственная линия V1 в кампусе Хвасон в Южной Корее
Samsung первой в мире начала поставки 3-нм чипов коммерческим заказчикам. Компания начала разработку GAA в начале 2000-х годов и впервые успешно применила её при производстве 3-нм чипов в 2017 году. После нескольких лет исследований и тестов началось производство новых решений. В частности, 3-нм чипы будут поставляться китайской майнинговой компании.
По словам представителей Samsung Foundry, технологические препятствия при разработке 3-нм техпроцесса были устранены с помощью сотрудничества как с другими подразделениями Samsung, так и производственными и инфраструктурными партнёрами компании.
3-нм чипы Samsung используют технологию транзисторов GAA (Gate All Around), обеспечивающую более эффективное энергопотребление и повышенную производительность в сравнении с уже используемой FinFET. Новое решение будет применяться для выпуска процессоров, предназначенных для серверов, дата-центров, а также передовых чипсетов для смартфонов, планшетов, носимых устройств, ноутбуков, настольных компьютеров и другой электроники.
Стоит отметить, что главный конкурент Samsung на рынке контрактного производства полупроводников - компания TSMC, начнёт выпускать 3-нм чипы приблизительно в четвёртом квартале 2022 года. Оба производителя (Samsung и TSMC) будут состязаться за право получить заказы от крупных вендоров вроде AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA и Qualcomm.