Samsung начал производство 3D-чипов памяти

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND.

С момента появления 40 лет назад и до сегодняшнего дня флэш-память представляла собой планарную, двухмерную структуру ячеек. Повышать плотность хранения информации до настоящего времени позволяло уменьшение технологического процесса производства. Однако с приближением технологического процесса к 10-нм норме между ячейками памяти стала возникать интерференция, в результате чего надежность хранения данных снизилась ниже допустимого предела.

Технология 3D V-NAND призвана решить эту проблему: открыть новый способ повышения плотности хранения данных в дальнейшем, сохранив такую технологическую норму, которая обеспечит необходимый уровень надежности.

В новых чипах памяти, выполненных по технологии 3D V-NAND, ячейки расположены по отношению друг к другу в трех измерениях. Соединение ячеек по вертикали обеспечивается специальными проводниками. В одной микросхеме может быть до 24 слоев с ячейками, при этом через специальные отверстия проводник может изолированно проходить сквозь другие слои и, например, соединять ячейки первого и двадцать четвертого слоев.

В Samsung утверждают, что 3D V-NAND позволяет добиться 8-кратного увеличения емкости: например, оснастить ноутбук не 128 ГБ памяти, а 1 ТБ.

Однако новая технология позволяет не только повысить плотность, но и получить гораздо более высокую надежность (в 2-10 раз) по сравнению с NAND-памятью, выполненной на базе 10-нм техпроцесса. Кроме того, 3D V-NAND обеспечивает более высокую скорость записи - вдвое выше, - утверждают в Samsung.

Выпуску первой памяти 3D V-NAND предшествовало около 10 лет исследований, добавили в компании.