Компания Samsung объявила о начале массового производства первых в отрасли мобильных 16 ГБ чипов памяти DRAM LPDDR5. Для печати используется 10 нм техпроцесс третьего поколения в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Новая память обещает высочайшую производительность и самую большую ёмкость на рынке в классе мобильных устройств. Новые модули памяти будут использоваться во флагманских смартфонах и планшетах с поддержкой 5G и искусственного интеллекта.
Фабрика, на которой запущено производство новых 16 ГБ чипов памяти DRAM LPDDR5, располагается в корейском Пхёнтхэке и занимает площадь в 128,9 тыс. квадратных метров. Это крупнейшая линия такого плана в мире. На площадке планируется развернуть производство передовых полупроводниковых технологий памяти DRAM и V-NAND.
Что касается новых чипов памяти LPDDR5 на 16 ГБ, то в Samsung их называют первыми изделиями в мире на кристаллах DRAM, производимыми серийно с применением литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне. При скорости в 6400 Мбит/с эти чипы примерно на 16% быстрее 12 ГБ LPDDR5 (5500 Мбит/с), которые используются в большинстве современных флагманских смартфонов. В 16 ГБ чипе память LPDDR5 может передавать около 51,2 Гбайт данных (10 фильмов в формате Full HD размером 5 Гбайт) за одну секунду.
Благодаря использованию техпроцесса 1z, 16 ГБ чип LPDDR5 стал на 30% тоньше, чем у предшественника. Это позволяет разместить в смартфонах больше функциональных блоков в тонком корпусе и складных устройств. Модули LPDDR5 объёмом 16 ГБ используют всего 8 чипов, тогда как предшественнику на базе техпроцесса 1y требовалось 12 чипов (восемь чипов по 12 ГБ и четыре чипа по 8 ГБ) для обеспечения той же ёмкости.
Samsung планирует и дальше укреплять присутствие на рынке флагманских смартфонов, а также расширять свою долю рынка в области LPDDR5 для автомобильной электроники, предложив решения с расширенным температурным диапазоном и соответствием строгим стандартам безопасности и надёжности в экстремальных условиях.