Компания Samsung Electronics приступила к серийному производству чипов на базе 14-нм технологического процесса второго поколения с применением транзисторов FinFET, сообщает издание ZDNet. В компании утверждают, что новые микросхемы обладают на 15% более низким энергопотреблением и на столько же более высокой производительностью по сравнению с чипами предыдущего поколения. Это было достигнуто благодаря модернизации структуры и оптимизации производственной технологии.
14-нм технологический процесс первого поколения Samsung освоила в 2015 году. Одним из первых процессоров на его основе стал Exynos 7 Octa. На базе 14-нм технологического процесса второго поколения компания выпускает процессор Exynos 8 Octa. Предполагается, что он будет использован в новом флагманском смартфоне.
Кроме того, использовать новый процесс изъявила желания компания Qualcomm. На его основе выпускаются процессоры Qualcomm Snapdragon 820. Оснащенные им первые мобильные устройства появятся в продаже на мировом рынке в первой половине 2015 года. Условия лицензирования партнеры не раскрывают.
И в первом, и во втором поколении 14-нм технологии Samsung используются транзисторы FinFET. Они имеют 3D-структуру в отличие от более традиционной планарной. С уменьшением величины транзисторов одной из главных проблем стало увеличение тока утечки вследствие уменьшения длины канала транзистора. В транзисторах с 3D-структурой каналов несколько, что позволяет снизить ток утечки.