Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) объявил о завершении работ по созданию первого отечественного литографа, позволяющего работать с 350-нм технологией. Проект был разработан в сотрудничестве с белорусской компанией ОАО «Планар». До конца 2026 года специалисты обещают завершить создание литографа, способного работать с разрешением 130 нм.
ЗНТЦ завершил опытно-конструкторские работы по созданию первого отечественного фотолитографа (установки совмещения и проекционного экспонирования) с разрешением 350 нанометров (нм) – ключевого элемента при производстве микросхем. Установка принята государственной комиссией. Отмечается, что в проекте участвовали представители отраслевых организаций и крупнейших российских производителей микроэлектроники, а также белорусская компания «Планар».
«Новая совместная разработка имеет ряд преимуществ: существенно увеличена площадь рабочего поля — 22 × 22 мм по сравнению с предшествующей — 3,2 × 3,2 мм, на ступень больше максимальный диаметр обрабатываемых пластин — 200 мм вместо 150 мм. Кроме того, в мировой практике для производства данных литографов в качестве источника излучения используется ртутная лампа, в российской установке впервые использован твердотельный лазер – более мощный и энергоэффективный, с высокой долговечностью и более узким спектром», — пояснил генеральный директор АО «ЗНТЦ» Анатолий Ковалев.
В настоящее время ведется адаптация технологических процессов к особенностям производства конечного потребителя, а также заключение контрактов на поставку первых установок для модернизации существующих и оснащения новых микроэлектронных производств страны.
Все испытания разрабатываемого оборудования, а также дальнейшие адаптации технологических процессов к особенностям производств заявившихся заказчиков-предприятий будут проводится на специализированной площадке инженерно-исследовательского центра АО «ЗНТЦ» (Полигоне испытаний технологического оборудования АО «ЗНТЦ»).
Стоит отметить, что ведущий мировой производитель литографических систем — нидерландская компания ASML, в своём оборудовании, предназначенном для работы с сопоставимыми технологическими нормами, использовала источники излучения другого типа. Для техпроцессов класса 350 нм применялись ртутные лампы с длиной волны 365 нм. Для техпроцессов 250 нм и более прогрессивных применялись источники излучения на базе фторида криптона с длиной волны 248 нм. Для норм 130 нм и тоньше использовались системы с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV) на основе фторида аргона с длиной волны 193 нм.
Твердотельные лазеры также использовались при производстве полупроводниковых компонентов ранее, но преимущественно во вспомогательных функциях типа анализа качества продукции и поиска дефектов, либо механической обработки кремниевых пластин. Теоретически, твердотельные лазеры могут применяться для экспонирования при производстве чипов по зрелым литографическим нормам от 250 нм и грубее, но та же ASML для этих целей с 90-х годов прошлого века использовала эксимерные источники лазерного излучения на основе фторидов криптона или аргона.
По мировым меркам оборудование для выпуска 350-нм чипов может казаться устаревшим, но соответствующие компоненты ещё способны найти применение в силовой электронике, автомобильной промышленности и оборонной сфере.
До конца 2026 года специалисты АО «ЗНТЦ» обещают завершить создание литографа, способного работать с разрешением 130 нм.
Стоит отметить, что в России есть государственная программа развития микроэлектроники, которая предусматривает освоение 28-нм технологии к 2027 году и 14-нм технологии к 2030 году. Пока отечественные производители оборудования отстают от намеченного графика.