Разработчики микроэлектроники продолжают совершенствовать энергоэффективные чипы памяти LPDDR5X, которые используются во флагманских смартфонах и планшетах. Компания Micron представила свою новую разработку – память LPDDR5X, произведённую по передовому техпроцессу 10-нм класса 1γ (гамма). Эти микросхемы ориентированы на повышение ИИ-производительности флагманских смартфонов.
В настоящее время в лабораториях Micron совместно с партнёрами проходят испытания 16-гигабитных чипов LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ. В линейке производителя будут версии объёмом от 8 до 32 Гбайт для использования во флагманских смартфонах 2026 года.
Изделие имеет самую высокую в отрасли скорость для LPDDR5X — 10,7 Гбит/с — и демонстрирует до 20% более высокую энергоэффективность по сравнению с другими аналогичными решениями. Память упакована в самый тонкий для LPDDR5X корпус толщиной всего 0,61 мм. По словам Micron, это на 6% тоньше, чем у конкурирующих продуктов, и на 14% тоньше по сравнению с её собственной памятью LPDDR5X предыдущего поколения. Компания также подчёркивает, что LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ является её первым решением в сегменте мобильной памяти, при производстве которого применяется передовая EUV-литография.
В феврале 2025 года Micron объявила о первых поставках образцов памяти DDR5 на основе техпроцесса 1γ таким клиентам, как Intel и AMD. При этом Micron остаётся единственной компанией, поставляющей чипы памяти HBM3E и SOCAMM для ИИ-серверов. Производитель отмечает, что его память SOCAMM LPDDR5X, разработанная при поддержке Nvidia, поддерживает специализированный ИИ-чип GB300 Grace Blackwell Ultra.
Техпроцесс 1γ по международной классификации относится к шестому поколению памяти DRAM 10-нм класса. Массовое производство таких изделий уже началось и будет наращиваться к концу года Узел имеет ширину линии порядка 11–12 нанометров.
LPDDR5X — это наиболее передовое поколение энергоэффективной DRAM, доступное на сегодняшний день на рынке. Основное применение данной памяти — мобильные устройства и ноутбуки.
Стоит отметить, что компании Samsung и SK hynix также разрабатывают собственные чипы памяти флагманского класса. В августе прошлого года SK hynix объявила о создании первых в индустрии 16-гигабитных чипов памяти DDR5 на основе узла 1γ — шестого поколения 10-нм техпроцесса. По данным MoneyToday от января 2025 года, компания завершила подготовку к массовому производству чипов 1γ DDR5. Компания Samsung, в свою очередь, отложила развитие шестого поколения 10-нм техпроцесса DRAM до июня 2025 года.