Компания Samsung начала производство новых модулей памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) для смартфонов. Объём флеш-накопителя равен 512 ГБ.
Такие модули памяти ориентированы на флагманские смартфоны и планшеты. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Как отмечает производитель, они вдвое превышают плотность прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND, обеспечивая двойную ёмкость при сохранении занимаемого пространства.
Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи. Это примерно в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.
Изделия рассчитаны на применение во флагманских смартфонах, фаблетах и планшетах. Ёмкости в 512 Гбайт хватит для хранения обширной коллекции мультимедийных материалов — фильмов, видеоклипов, изображений высокого разрешения и пр. Кроме того, благодаря высокой производительности накопители обеспечат поддержку самых требовательных приложений.
«Новая память Samsung 512 Гбайт eUFS является наилучшим решением встроенной памяти для смартфонов премиум-класса нового поколения, так как позволяет преодолеть потенциальные ограничения системной производительности, которые могут наблюдаться при использовании карт microSD», — говорится в сообщении южнокорейского гиганта.
Таким образом, можно предположить, что будущие смартфоны Galaxy S9 в топовой конфигурации будут комплектоваться флеш-накопителем вместимостью 512 Гбайт.